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仅四天就答完首轮问询 中芯国际回复中透露这些重要信息
发布时间:2020-06-08

答完科创板首轮问询中芯国际仅用了4天时间。

6月7日晚间,中芯国际在上交所披露首轮审核问询函的回复,公告显示本次问询共涉及六大类问题,涵盖发行人股权结构、业务、核心技术等事项,合计29个小问。

据证券时报·e公司记者观察,在本次回复中,中芯国际还是透露了不少干货,其中包括外界最为关注的公司14nm及下一代制程产品的具体信息。

14纳米技术有营收纯晶圆厂仅余3家

招股书披露,中芯国际是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一,主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。本次公司拟发行不超过16.86亿股新股,预计募资200亿元人民币,计划分别投入中芯南方正在进行的12英寸芯片SN1项目(80亿元),先进及成熟工艺研发项目储备资金(40亿元),补充流动资金(80亿元)。

据悉,“12英寸芯片SN1项目”是中国大陆第一条14纳米及以下先进工艺生产线,规划月产能为3.5万片,目前已建成月产能6000片。

本次上交所在问询函中提出,结合发行人14nm线宽技术晚于竞争对手的量产时间、发行人14nm制程产品的市场份额、盈利水平及性价比等情况,补充披露发行人14nm制程产品的竞争优劣势,以及发行人是否存在提高14nm制程产品竞争水平的有效措施等。

对此,中芯国际说明时表示,在集成电路晶圆代工领域内,全球范围内有技术能力提供14纳米技术节点的纯晶圆代工厂有4家,而目前有实际营收的纯晶圆代工厂仅剩3家。根据各公司的公开信息整理,台积电于2015年实现16纳米制程晶圆代工的量产,格罗方德于2015年实现14纳米制程晶圆代工的量产,联华电子于2017年实现14纳米制程晶圆代工的量产。公司14纳米制程的集成电路晶圆代工业务于2019年开始量产。

据介绍,目前14纳米及以下更先进制程在手机应用处理器、基带芯片、加密货币和高性能计算等追求高性能、低能耗、高集成度的领域内已逐渐成为主流技术。根据IHS统计预测,14纳米及以下更先进制程的集成电路晶圆代工市场将保持快速增长,预计2024年全球市场规模将达386亿美元,2018年至2024年的复合增长率将达19%。

中芯国际14纳米晶圆代工产能初步开始布建,因此占全球市场的份额相对较低;公司表示,第一代14纳米 FinFET 技术已进入量产阶段,技术处于国际领先水平,且具有一定性价比,目前已同众多客户开展合作,预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

第二代FinFET技术功耗降低约60%

当被问及下一代制程的情况时,中芯国际指出,在下一代技术节点的开发上,全球纯晶圆代工厂仅剩台积电和中芯国际。随着公司不断加大研发投入、丰富研发团队、加强研发实力、增强客户合作,公司正不断缩短与台积电之间的技术差距。公司第二代FinFET技术目前已进入客户导入阶段。利用公司先进FinFET 技术在晶圆上所制成的芯片已应用于智能手机领域。

并且,中芯国际还披露了外界颇为关注的下一代FinFET技术相关性能和功耗水平。数据显示,与第一代FinFET技术中的14nm相比较,公司预计第二代FinFET 技术有望在性能上提高约20% ,功耗降低约60%。14 纳米及以下先进工艺主要应用于5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域,未来发展前景广阔。随着相关应用领域持续发展,先进工艺的市场需求将持续上升,市场份额将不断扩大,成为集成电路晶圆代工市场新的增长点。

同时,公司对募集资金投资项目的风险进行了补充披露:12英寸芯片SN1项目的总投资额为90.59亿元美元,其中生产设备购置及安装费达733016万美元。SN1项目达产后将会贡献额外的先进制程收入,但同时带来较高的折旧成本压力。 随着14纳米及下一代制程的产线投产、扩产, 公司一定时期内会面临较大的折旧压力,该部分业务毛利率可能会低于公司平均水平,存在经济效益不达预期,甚至产生较大额度亏损的风险。

据了解,此前中芯南方与中芯控股、大基金一期、大基金二期、上海集成电路基金一期及上海集成电路基金二期签订新合资合同及新增扩股协议。根据新协议约定,中芯南方的投资总额调整为90.59亿美元,注册资本调整为65亿美元,各股东方需在原已完成出资的35亿美元注册资本基础之上增资30亿美元。公司认为,中芯南方本次增资完成后,发行人可以在大基金二期、上海集成电路基金二期的支持下,加快引进先进的制造工艺和产品,亦可减轻因先进制程产能扩充而产生的巨额现金投资。

此外,中芯国际还对研发费用率远高于同行业可比公司的原因及合理性进行了说明。数据显示,2019年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体研发费用分别为211亿元、47亿元、27亿元及4亿元,相应占营收比重分别为9%、22%、8%和7%。

中芯国际阐述,为加强在先进制程方面的技术实力,公司不断加大先进制程的研发投入,相继实现了28纳米 HKC+工艺及第一代 14 纳米FinFET 工艺的研发和量产,第二代 FinFET 工艺的研发也在稳健进行中,并不断拓展成熟工艺应用平台,因此公司研发费用率高于可比上市公司。

(文章来源:证券时报.e公司)